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申请/专利权人：太原国科半导体光电研究院有限公司
摘要：本发明提供了一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，属于红外焦平面探测器技术领域；解决了现有工艺中在铟柱阵列中电镀复合镀层出现的镀件电流密度分布不均匀、导致镀层厚薄不一问题；包括以下步骤：在芯片上方蒸镀铟层；在铟层上方匀胶后进行光刻、显影、坚膜，使芯片上方不需要生长铟柱的地方得到光刻开孔，需要生长铟柱的地方进行光刻胶掩蔽；对芯片进行刻蚀，将铟层上不需要生长铟柱的位置刻蚀掉；对刻蚀后的芯片去胶；采用化学镀的工艺，将芯片放在含惰性金属离子的化学溶液中进行复合镀层制备，在基层铟柱的上表面和侧壁生长一层指定高度的薄镀层，得到包覆复合镀层的铟柱阵列；本发明应用于铟柱阵列的制备。
主权项：1.一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：在芯片上方蒸镀铟层；S2：在铟层上方匀胶后进行光刻、显影、坚膜，使芯片上方不需要生长铟柱的地方得到光刻开孔，需要生长铟柱的地方进行光刻胶掩蔽；S3：对芯片进行刻蚀，将铟层上不需要生长铟柱的位置刻蚀掉；S4：对刻蚀后的芯片去胶；S5：采用化学镀的工艺，将芯片放在含惰性金属离子的化学溶液中进行复合镀层制备，在基层铟柱的上表面和侧壁生长一层指定高度的薄镀层，得到包覆复合镀层的铟柱阵列。
全文数据：
权利要求：
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