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申请/专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
摘要：本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaNHEMT器件模型，所述GaNHEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。
主权项：1.一种p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型，其特征在于，包括：基础模型，包括GaNHEMT器件模型，所述GaNHEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于第一端和第二端之间且相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，所述第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，所述第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，所述第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；所述二极管D2的阳极和阴极中阳极更靠近所述第一端、阴极更靠近所述第二端，所述二极管D1的阳极和阴极中阳极更靠近所述第二端、阴极更靠近所述第一端；所述子模型与所述栅极电阻串联连接；其中，所述子模型位于所述GaNHEMT器件模型中的栅极和栅极节点之间，所述第一端用于连接所述栅极、所述第二端用于连接所述栅极节点；或所述子模型位于所述GaNHEMT器件模型中的栅信号源和栅极之间，所述第一端用于连接所述栅信号源、所述第二端用于连接所述栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 无锡华润上华科技有限公司 p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法
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