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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法，二极管结构包括衬底以及在衬底上叠层设置的第一外延层、第二外延层和第一导电层，其中，第一外延层和第二外延层具有相同的掺杂类型，二极管结构还包括多个第一注入区间隔设置在第一外延层中且与第二外延层接触；多个第二注入区位于第二外延层中且分别与所示第一注入区和第一导电层接触，其中，第一注入区与第二注入区一一对应；至少一个第三注入区位于相邻的第二注入区之间的第二外延层中，且第三注入区与第一导电层接触；其中，第一注入区、第二注入区和第三注入区具有相同的掺杂类型，并与第一外延层的掺杂类型不同，以解决相关技术中二极管器件的产品性能优势较弱和工艺流程复杂的问题。
主权项：1.一种二极管结构，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上叠层设置的第一外延层、第二外延层和第一导电层，其中，所述第一外延层和所述第二外延层具有相同的掺杂类型，所述二极管结构还包括：多个第一注入区，所述多个第一注入区间隔设置在所述第一外延层中且与所述第二外延层接触；多个第二注入区，所述第二注入区位于所述第二外延层中且分别与所示第一注入区和所述第一导电层接触，其中，所述第一注入区与所述第二注入区一一对应；至少一个第三注入区，所述第三注入区位于相邻的所述第二注入区之间的第二外延层中，且所述第三注入区与所述第一导电层接触；其中，所述第一注入区、所述第二注入区和所述第三注入区具有相同的掺杂类型，并与所述第一外延层的掺杂类型不同；所述第一导电层包括第一导电部、第二导电部和第三导电部，其中，所述第一导电部与所述第二注入区接触，所述第二导电部与所述第三注入区接触，所述第三导电部分别与所述第一导电部和所述第二导电部接触。
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