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申请/专利权人：合肥中恒微半导体有限公司
摘要：本发明公开了IGBT芯片表面镀铜后焊接铜片进行铜线键合工艺，本发明涉及半导体封装技术领域，包括以下步骤：表面镀铜，将半导体基板进行芯片封装，封装后进行表面镀铜，并开设封装的铜线槽，在铜线槽开设后再在铜线槽的上方开设镍线槽；焊接键合，将劈刀移至芯片焊盘的位置，使用表面镀铜的纯铜线构成的焊线线材制作第一个焊点的焊球，将键合处焊线区分，完成焊线线材的走线，实现完整的铜线键合工艺。该IGBT芯片表面镀铜后焊接铜片进行铜线键合工艺，能够延缓铜线表面出现氧化，提高键合工艺的可靠性和电导率，有助于提高芯片封装的抗拉强度，也避免芯片封装时出现铜线打线不粘和弹坑这种失效模式，增加芯片封装的可靠性。
主权项：1.IGBT芯片表面镀铜后焊接铜片进行铜线键合工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：表面镀铜，将半导体基板进行芯片封装，封装后进行表面镀铜，并开设封装的铜线槽，在铜线槽开设后再在铜线槽的上方开设镍线槽；步骤二：焊接键合，将劈刀移至芯片焊盘的位置，使用表面镀铜的纯铜线构成的焊线线材制作第一个焊点的焊球，焊球焊接完成后，再使用表面镀镍的纯镍线构成的焊线线材制作第二个焊点的焊球，将键合处焊线区分；步骤三：拉线弧，焊头带动劈刀往上抬起，焊线线材从第一个焊点的焊球被拉起，到设定的高度后，从最高点移动到半导体基板第二个焊点的位置，完成焊线线材的走线，被拉起过程中进行粗细调整，实现完整的铜线键合工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥中恒微半导体有限公司 IGBT芯片表面镀铜后焊接铜片进行铜线键合工艺
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