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申请/专利权人：湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
摘要：本发明公开了一种近零粘附光刻胶及干式光刻方法，属于微纳制造领域；所述近零粘附光刻胶包括：40‑99%光刻胶，0‑60%溶剂，0.4‑12%两亲性分子助剂；所述方法包括：在衬底上旋涂光刻胶前体溶液退火得到光刻胶薄膜，通过曝光、显影完成光刻胶结构的制备；光刻胶作为掩模进行金属或氧化物镀膜或者刻蚀；将胶带共形贴附在光刻胶的上表面，剥离光刻胶，剥离过程仅需使用胶带机械剥离，从而避免任何有机溶剂和有毒剥离剂的使用；得到硬质晶圆衬底上的金属或氧化物微纳结构或刻蚀后的微纳结构。用近零粘附光刻胶的可转移特性，该方法可以拓展到曲面衬底和柔性聚合物衬底的干式剥离光刻工艺，利于拓展光刻技术在柔性电子、生物电子、人机界面等领域的应用。
主权项：1.一种近零粘附光刻胶，其特征在于，按质量百分比组份包括：40-99%光刻胶，0-60%溶剂，0.4-12%两亲性分子助剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城) 一种近零粘附光刻胶及干式光刻方法
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