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申请/专利权人：湖南德智新材料有限公司
摘要：本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅材料的方法、应用及碳化硅材料，所述制备碳化硅材料的方法包括：提供一基底，将所述基底置于真空的化学气相沉积设备中加热；将稀释气体和反应气体通入化学气相沉积设备中，所述反应气体包括碳硅烷烃和或还原性气体，设置沉积的工艺参数：沉积温度为1000℃‑1500℃，沉积压力为9000Pa‑40,000Pa，碳硅烷烃和还原性气体的流量比为1:1‑40；化学气相沉积完成后，停止通入稀释气体和反应气体。由上述方法得到的碳化硅材料兼具高电阻率、高纯度及高致密度等优良特性，可以用于半导体生产中。
主权项：1.一种制备碳化硅材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供一基底，将所述基底置于真空的化学气相沉积设备中加热；2将稀释气体和反应气体通入化学气相沉积设备中，所述反应气体包括碳硅烷烃和还原性气体，所述稀释气体为氩气，所述稀释气体的体积分数为42％-50％，设置沉积的工艺参数：沉积温度为1275℃-1350℃，沉积压力为20000Pa-25000Pa，碳硅烷烃和还原性气体的流量比为1:15-25；3化学气相沉积完成后，停止通入稀释气体和反应气体，得到碳化硅；所述碳化硅材料的纯度＞99.9999％，所述碳化硅材料平均粒径为0.05μm-0.8μm，所述碳化硅材料的大角度晶界＞10°的占比为大于等于55%小于85％，所述碳化硅材料平均位错密度为50-140×1014m2，所述碳化硅材料的电阻率为20kΩ.cm-50kΩ.cm。
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