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申请/专利权人：浙江省冶金产品质量检验站有限公司
摘要：本发明公开了一种用于增强晶硅太阳能电池电镀铜粘附力的表面处理方法，该表面处理方法步骤如下：S1.晶硅样品光刻图形化处理：采用激光开孔、光刻图形化、喷墨打印、丝网印刷的方法；S2.晶硅样品表面处理:在溶液中添加含金属离子与有机添加剂，硅片浸泡其中，使金属离子与有机添加剂在表面实现吸附，将硅片放置在硝酸中，酸溶液会对吸附金属离子的区域进行氧化，形成纳米孔洞，将硅片放置在氢氟酸与双氧水的混合酸溶液中，该溶液会择优腐蚀有金属离子的纳米孔洞，使其形成较为明显的表面纳米结构。本发明采用化学溶液法，对进行晶硅电池表面进行预处理，使硅片表面形成10‑500nm的多孔状结构，增大了表面接触面积，增强了电镀金属的粘附力。
主权项：1.一种用于增强晶硅太阳能电池电镀铜粘附力的表面处理方法，其特征在于，该表面处理方法步骤如下：S1.晶硅样品光刻图形化处理：采用激光开孔、光刻图形化、喷墨打印、丝网印刷的方法；S2.晶硅样品表面处理:在溶液中添加含金属离子与有机添加剂，硅片浸泡其中，使金属离子与有机添加剂在表面实现吸附，将硅片放置在硝酸中，酸溶液会对吸附金属离子的区域进行氧化，形成纳米孔洞，然后将硅片放置在氢氟酸与双氧水的混合酸溶液中，该溶液会择优腐蚀有金属离子的纳米孔洞，使其形成较为明显的表面纳米结构;S3.镍种子层沉积:采用光诱导电镀、电场诱导电镀的方法，电流设置为0.1-15mAcm2，时间为5-20min，温度为25℃；S4.铜层沉积:采用电场诱导电镀，电流设置为0.1-20mAcm2，时间为10-30min，温度为25℃；S5:锡层沉积:采用化学镀法，镀液温度为45℃；S6.退火处理：再管式炉中氮气氢气混合气氛350℃退火处理，并完成太阳能电池的制备。
全文数据：
权利要求：
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