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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件性能退化的测试方法及系统，属于半导体领域。该半导体器件性能退化的测试方法包括采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并对测量数据进行对数正太分布拟合，得到不同电压提升速率下某固定电压下的第一阈值电压偏移；基于所述第一阈值电压偏移和电压提升速率，以获取时间因子；基于所述第一阈值电压偏移与不同施加电压，以获取电压加速因子。本发明通过采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并进行数据拟合，获取时间因子、电压加速因子和失效时间对数正太分布σ2，从而获取半导体器件的失效时间，大大缩短了半导体器件的HCI和BTI测试时间。
主权项：1.一种半导体器件性能退化的测试方法，其特征在于，包括：采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并对测量数据进行对数正太分布拟合，得到不同电压提升速率下某固定电压下的第一阈值电压偏移；基于所述第一阈值电压偏移和电压提升速率，以获取时间因子；基于所述第一阈值电压偏移与不同施加电压，以获取电压加速因子；获取某一个施加电压下第二阈值电压偏移，计算第二阈值电压偏移的对数正太分布值布σ1，并基于σ1获取失效时间对数正太分布σ2；基于所述时间因子、电压加速因子和σ2获取半导体器件的失效时间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 半导体器件性能退化的测试方法及系统
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