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申请/专利权人：北京理工大学
摘要：本发明公开一种基于MXene的忆阻器及其制备方法。忆阻器中离子的运动会导致中间阻变层电导发生变化，MXene的加入对忆阻器中的离子迁移具有良好的调控作用。MXene作为二维材料本身具有良好的导电性、表面含有大量缺陷和表面官能团，对金属阳离子有一定的吸附作用，加入MXene成为金属阳离子的储备中心，为金属阳离子提供更多的位点形成导电细丝，提高金属阳离子传输速率，从而实现更低的开关电压，更好的循环稳定性和保持性能，有利于类脑芯片的实现和类脑系统的构建，可广泛应用于智能信息存储技术等高新领域。
主权项：1.一种基于MXene的忆阻器，其特征在于：该忆阻器从下到上依次包括：衬底、底电极、阻变层和顶电极；所述阻变层的原料包括聚乙烯亚胺溶液和MXene溶液。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京理工大学 一种基于MXene的忆阻器及其制备方法
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