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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法，包括：衬底、π型层、p型层、n+层、贯穿p型层的沟道型保护槽、二氧化硅绝缘层以及第一电极；还包括位于结构下方的衬底掏空区域、硅柱区和第二电极。本发明通过设置硅柱区和沟道型保护槽，增强了光电探测器近红外波段下不同波长的响应，调控边缘电场分布，有效调节器件的击穿特性，降低了过剩噪声；此外本发明在制备过程中采用微米级工艺，较纳米级工艺精度要求低，工艺容错率高，达到了降低制备成本的有益效果。
主权项：1.一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构，其特征在于，包括：衬底（1）；π型层（5），设置在衬底（1）上表面上，用于吸收入射光；p型层（6），设置在π型层（5）上；n+层（7），设置在p型层（6）上，其中，p型层（6）与n+层（7）共同形成雪崩区；沟道型保护槽（4），贯穿p型层（6），且所述沟道型保护槽（4）的底部位于所述π型层（5）上，用于提升击穿电压；所述沟道型保护槽（4）的形状为环形槽，所述沟道型保护槽（4）将所述p型层（6）上表面分隔为中间圆形部分与外围圆环部分，所述沟道型保护槽（4）的深度大于p型层（6）厚度且小于所述p型层（6）厚度与所述π型层（5）厚度之和；其中，n+层（7）位于p型层（6）中间圆形部分上；二氧化硅绝缘层（8），覆盖在n+层（7）、沟道型保护槽（4）和p型层（6）外围圆环部分上，用于作为表层钝化层；第一电极（9），覆盖在n+层（7）上方的二氧化硅绝缘层（8）上，用于形成欧姆接触阳极；衬底掏空区域（2），设置在衬底（1）下表面，用于减小入射光在吸收区外的光损耗，同时减小载流子的渡越时间；硅柱区（3），设置在衬底掏空区域（2）的凹槽底部，用于增强近红外波段光的吸收；所述硅柱的形状为圆柱体，多个所述硅柱之间的硅柱间隔为5至10μm，且多个所述硅柱之间等间隔分布；第二电极（10），覆盖在衬底（1）底部，且位于衬底掏空区域（2）外围，用于形成欧姆接触阴极。
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