首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

摘要:一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法,包括:衬底、π型层、p型层、n+层、贯穿p型层的沟道型保护槽、二氧化硅绝缘层以及第一电极;还包括位于结构下方的衬底掏空区域、硅柱区和第二电极。本发明通过设置硅柱区和沟道型保护槽,增强了光电探测器近红外波段下不同波长的响应,调控边缘电场分布,有效调节器件的击穿特性,降低了过剩噪声;此外本发明在制备过程中采用微米级工艺,较纳米级工艺精度要求低,工艺容错率高,达到了降低制备成本的有益效果。

主权项:1.一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构,其特征在于,包括:衬底(1);π型层(5),设置在衬底(1)上表面上,用于吸收入射光;p型层(6),设置在π型层(5)上;n+层(7),设置在p型层(6)上,其中,p型层(6)与n+层(7)共同形成雪崩区;沟道型保护槽(4),贯穿p型层(6),且所述沟道型保护槽(4)的底部位于所述π型层(5)上,用于提升击穿电压;所述沟道型保护槽(4)的形状为环形槽,所述沟道型保护槽(4)将所述p型层(6)上表面分隔为中间圆形部分与外围圆环部分,所述沟道型保护槽(4)的深度大于p型层(6)厚度且小于所述p型层(6)厚度与所述π型层(5)厚度之和;其中,n+层(7)位于p型层(6)中间圆形部分上;二氧化硅绝缘层(8),覆盖在n+层(7)、沟道型保护槽(4)和p型层(6)外围圆环部分上,用于作为表层钝化层;第一电极(9),覆盖在n+层(7)上方的二氧化硅绝缘层(8)上,用于形成欧姆接触阳极;衬底掏空区域(2),设置在衬底(1)下表面,用于减小入射光在吸收区外的光损耗,同时减小载流子的渡越时间;硅柱区(3),设置在衬底掏空区域(2)的凹槽底部,用于增强近红外波段光的吸收;所述硅柱的形状为圆柱体,多个所述硅柱之间的硅柱间隔为5至10μm,且多个所述硅柱之间等间隔分布;第二电极(10),覆盖在衬底(1)底部,且位于衬底掏空区域(2)外围,用于形成欧姆接触阴极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院半导体研究所 背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。