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申请/专利权人:晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
摘要:本发明公开一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。该太阳能电池掺杂层的处理方法可包括:在硅基体的主表面上形成第一掺杂多晶硅层,并在第一掺杂多晶硅层表面形成第一掺杂硅玻璃层,其中,第一掺杂硅玻璃层中的掺杂元素与第一掺杂多晶硅层中的掺杂元素相同;利用激光处理第一掺杂硅玻璃层的非栅线区域,使第一掺杂硅玻璃层中非栅线区域的化学刻蚀速率大于栅线区域;通过化学刻蚀方式,去除第一掺杂硅玻璃层以及对应于非栅线区域的部分或全部第一掺杂多晶硅层。该处理方法能够减薄非金属电极区域的掺杂层,降低掺杂层引起的寄生吸收,从而有效地提升太阳能电池短路电流密度以及光电转换效率。
主权项:1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:步骤1、在硅基体10的主表面上形成第一掺杂多晶硅层20,并在所述第一掺杂多晶硅层20表面形成第一掺杂硅玻璃层30,其中,所述第一掺杂硅玻璃层30中的掺杂元素与所述第一掺杂多晶硅层20中的掺杂元素相同;步骤2、利用激光处理所述第一掺杂硅玻璃层30的非栅线区域,使所述第一掺杂硅玻璃层30中所述非栅线区域的化学刻蚀速率大于栅线区域;步骤3、通过化学刻蚀方式,去除所述第一掺杂硅玻璃层30以及对应于所述非栅线区域的部分或全部第一掺杂多晶硅层20。
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