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申请/专利权人：深圳市迈德迩半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种NAND‑FLASH存储芯片测试系统，涉及芯片测试技术领域，读写测试模块结合读写数据以及运行数据为存储芯片生成性能评分，测试环境赋权模块依据使用时长以及使用频率为测试环境生成赋予权重值，质量分级模块将存储芯片在所有测试环境下的性能评分加权计算获取变化系数，依据变化系数与梯度阈值的对比结果预测存储芯片的读写状态变化，并依据预测结果对存储芯片进行质量分级，质量分级结果发送至相关人员。测试系统在存储芯片进行读写功能测试时，能够结合存储芯片在不同数据量读写的运行状态来预测存储芯片的读取状态变化，有效提高测试准确性，保障存储芯片后续使用时对数据读写的完整性，提高用户体验。
主权项：1.一种NAND-FLASH存储芯片测试系统，其特征在于：包括安装模块、读写测试模块、测试环境赋权模块、质量分级模块；安装模块：通过机械臂将存储芯片从输送料带中取出，并自动安装到探针卡上，安装完成后检查电气连接是否正确；读写测试模块：若电气连接正确，在不同的测试环境下对存储芯片进行读写功能测试，在测试过程中，执行预设的读写操作，记录在当前测试环境下存储芯片的读写数据以及运行数据，结合读写数据以及运行数据为存储芯片生成性能评分，并依据性能评分与评分阈值判断存储芯片在当前测试环境下的读写功能测试是否合格；测试环境赋权模块：若存储芯片在不同测试环境下的读写功能测试均合格，基于数据库获取存储芯片在不同测试环境中的使用时长以及使用频率，依据使用时长以及使用频率为测试环境生成赋予权重值；质量分级模块：将存储芯片在所有测试环境下的性能评分加权计算获取变化系数，依据变化系数与梯度阈值的对比结果预测存储芯片的读写状态变化，并依据预测结果对存储芯片进行质量分级，质量分级结果发送至相关人员。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市迈德迩半导体有限公司 一种NAND-FLASH存储芯片测试系统
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