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一种减弱低资源单片机MCU FLASH产生存储坏道的平衡存储方法 

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申请/专利权人:国能大渡河大数据服务有限公司

摘要:本发明涉及一种减弱低资源单片机MCUFLASH产生存储坏道的平衡存储方法,包括以下步骤:S1:采集存储芯片的各存储块的存储相关信息;S2:采用坏道预测模块根据各存储块的存储相关信息进行坏道概率预测得出各存储块的坏道概率预测值;S3:根据各存储块的坏道概率预测值将各存储块分别划分到各个存储区域;S4:按照存储区域进行数据存储。本发明通过坏道预测模块进行坏道概率预测,并据此进行存储块的划分和进一步的数据存储,能够尽可能充分利用存储空间,同时避免使用中的存储块发生存储坏道,保证存储数据不易因存储坏道而丢失,其平衡存储更加准确方便。

主权项:1.一种减弱低资源单片机MCUFLASH产生存储坏道的平衡存储方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:采集存储芯片的各存储块的存储相关信息;S2:采用坏道预测模块根据各存储块的存储相关信息进行坏道概率预测得出各存储块的坏道概率预测值;S3:根据各存储块的坏道概率预测值将各存储块分别划分到各个存储区域;S4:按照存储区域进行数据存储。

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