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申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要：本申请公开了一种p‑GaN腐蚀后提升均匀性及降低表面损伤的方法，方法包括：将晶圆放于甩胶机上，真空吸附后，在晶圆表面滴胶后，开始制程，使得光刻胶均匀的涂敷在晶圆表面；将甩胶后的晶圆置于加热台上，进行烘烤，使晶圆与光刻胶更好结合，除去光刻胶中的溶剂；将烘好的晶圆放于光刻机承片台上吸真空固定，待真空值达到要求后，选定曝光时间进行光刻；解除真空状态，并将晶圆取下，放于显影液中，进行显影；将晶片坚膜打胶后，放置于GaN腐蚀液内进行腐蚀作业，腐蚀过程中上下晃动卡塞；将腐蚀后的晶片正面朝上放于承载盘上后，将承载盘放入刻蚀机腔室内抽真空，待真空值达到设定值后，送入刻蚀放映室内，通入特定气体进行刻蚀。
主权项：1.一种p-GaN腐蚀后提升均匀性及降低表面损伤的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：将晶圆放于甩胶机上，真空吸附后，在晶圆表面滴胶后，开始制程，使得光刻胶均匀的涂敷在晶圆表面；步骤S2：将甩胶后的晶圆置于加热台上，进行烘烤，使晶圆与光刻胶更好结合，除去光刻胶中的溶剂；步骤S3：将所述步骤S2中烘好的晶圆放于光刻机承片台上吸真空固定，待真空值达到要求后，选定曝光时间进行光刻；步骤S4：解除真空状态，并将晶圆取下，放于显影液中，进行显影；步骤S5：将晶片坚膜打胶后，放置于GaN腐蚀液内进行腐蚀作业，腐蚀过程中上下晃动卡塞；步骤S6：将腐蚀后的晶片正面朝上放于承载盘上后，，将承载盘放入刻蚀机腔室内抽真空，待真空值达到设定值后，送入刻蚀放映室内，通入特定气体进行刻蚀。
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权利要求：
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