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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本公开的肖特基二极管、其制备方法及电子装置，包括衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一介质层，位于漂移层远离衬底的一侧，第一介质层包括贯穿其厚度的沟槽；再生长层，位于沟槽内，再生长层远离衬底一侧的表面与第一介质层远离衬底一侧的表面共面；肖特基电极，位于再生长层和第一介质层远离衬底的一侧。由于第一介质层远离衬底一侧的表面与再生长层远离表面位于同一水平面，因此，肖特基电极在漂移层表面不存在场板拐角，可降低漂移层表面电场集中现象，由此有效提高了肖特基二极管的耐压特性。
主权项：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；漂移层，位于所述衬底的一侧；第一介质层，位于所述漂移层远离所述衬底的一侧，所述第一介质层包括贯穿其厚度的沟槽；再生长层，位于所述沟槽内，所述再生长层远离所述衬底一侧的表面与所述第一介质层远离所述衬底一侧的表面共面；肖特基电极，位于所述再生长层和所述第一介质层远离所述衬底的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平湖实验室 肖特基二极管、其制备方法及电子装置
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