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申请/专利权人：上海交通大学
摘要：本申请涉及上转换器件技术领域，公开了一种高效率上转换器件及其制备方法。高效率上转换器件包括自下而上依次设置的透明导电电极层、电子传输层、发光层、空穴传输层、光敏层和金属电极层；光敏层包括电子给体材料、电子受体材料和电子陷阱材料，电子陷阱材料的LUMO能级低于电子受体材料的LUMO能级；电子给体材料为PTB7‑Th，电子受体材料为IEICO‑4F；电子陷阱材料为TCNQ或其衍生物；空穴传输层为改性PEDOT:PSS。本申请的上转换器件通过在光敏层中引入深能级电子陷阱，辅助产生不平衡的空穴和电子浓度，从而实现活性层能带弯曲，并引起外电路中载流子的注入，实现倍增的效果；并能减少重组损耗并产生足够的光生载流子触发倍增，实现高效率的红外可视化功能。
主权项：1.一种高效率上转换器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的透明导电电极层、电子传输层、发光层、空穴传输层、光敏层和金属电极层；所述光敏层包括电子给体材料、电子受体材料和电子陷阱材料，所述电子陷阱材料的LUMO能级低于所述电子受体材料的LUMO能级；所述电子给体材料为PTB7-Th，所述电子受体材料为IEICO-4F；所述电子陷阱材料为TCNQ或其衍生物；所述空穴传输层为改性PEDOT:PSS。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学 一种高效率上转换器件及其制备方法
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