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申请/专利权人:华中科技大学
摘要:本发明公开了一种新型双层分数槽集中绕组及其拓扑分布获取方法,其包括如下步骤:将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位向槽位相位图的正方向增加后一个槽位,将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向删除第一个槽位,分别作为新型双层分数槽集中绕组的所述任一相位的其中一层绕组的正相带槽位和负相带槽位;将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位沿槽位相位图的正方向删除最后一个槽位,将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向增加后一个槽位,分别作为新型双层分数槽集中绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位和负相带槽位,从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数,达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。
主权项:1.一种新型双层分数槽集中绕组的拓扑分布获取方法,其特征在于,其包括如下步骤:将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位向槽位相位图的正方向增加后一个槽位,作为新型双层分数槽集中绕组的所述任一相位的所述其中一层绕组的正相带槽位;将所述三相对称双层绕组的所述任一相位的所述其中一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向删除第一个槽位,作为所述集中绕组的所述任一相位的所述其中一层绕组的负相带槽位;所述三相对称双层绕组的槽位相位图依据A、-C、B、-A、C、-B相进行正槽位和负槽位分相;将所述三相对称双层绕组的所述任一相位的另一层绕组的正相带槽位沿槽位相位图的正方向删除最后一个槽位,作为所述集中绕组的所述任一相位的所述另一层绕组的正相带槽位;将所述三相对称双层绕组的所述任一相位的所述另一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向增加后一个槽位,作为所述集中绕组的所述任一相位的所述另一层绕组的负相带槽位。
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