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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开涉及一种反熔丝结构及其形成方法。所述反熔丝结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；形成反熔丝介质层和反熔丝栅极层于所述衬底的顶面上；注入掺杂离子至所述衬底，于所述衬底内形成与所述反熔丝介质层接触的反熔丝掺杂区。本公开降低了反熔丝介质层的击穿电压，提高了具有所述反熔丝结构的半导体器件的性能可靠性。
主权项：1.一种反熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；形成反熔丝介质层和反熔丝栅极层于所述衬底的顶面上；注入掺杂离子至所述衬底，于所述衬底内形成与所述反熔丝介质层接触的反熔丝掺杂区。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝结构及其形成方法
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