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申请/专利权人：美清纳微(苏州)芯片制造有限公司
摘要：本发明公开了一种斜齿结构的制备方法和斜齿结构，斜齿结构的制备方法包括：提供基材层；在基材层的一侧形成光刻胶层；斜置基材层后，通过聚焦的电子束对光刻胶层进行曝光，形成图案化的光刻胶层；其中，电子束的传播方向垂直于斜置前的基材层；图案化的光刻胶层包括多个周期性间隔设置的光刻胶掩膜条，且光刻胶掩膜条相对于基材层的表面倾斜设置；基于图案化的光刻胶层，在基材层的表面形成斜齿结构；其中，斜齿结构包括斜齿光栅或者斜齿压印模具；去除光刻胶层。本发明实施例提供的技术方案，提高了斜齿光栅的制备精度和效率。
主权项：1.一种斜齿结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基材层；在所述基材层的一侧形成光刻胶层；斜置基材层后，通过聚焦的电子束对光刻胶层进行曝光，形成图案化的光刻胶层；其中，所述电子束的传播方向垂直于斜置前的基材层；图案化的光刻胶层包括多个周期性间隔设置的光刻胶掩膜条，且所述光刻胶掩膜条相对于所述基材层的表面倾斜设置；基于图案化的光刻胶层，在所述基材层的表面形成斜齿结构；其中，所述斜齿结构包括斜齿光栅或者斜齿压印模具；去除所述光刻胶层。
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权利要求：
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