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申请/专利权人：聚勒微电子科技(太仓)有限公司

摘要：一种多腔体助熔剂法材料生长装置，包括：炉体；设置在炉体内的坩埚，坩埚上设有上端开口的熔体腔，熔体腔外侧壁设有加热器；籽晶架，籽晶架用于放置籽晶；升降装置，升降装置包括升降杆；转向架，转向架转动安装于升降杆的下端，籽晶架安装在转向架上，熔体腔包括绕转向架转动方向排列设置的第一生长腔体和第二生长腔体，上驱动齿盘，上驱动齿盘设置在炉体内对应转向架的上方，在转向架和上驱动齿盘上分别相对设有上定位齿和上滑动齿；下驱动齿盘，下驱动齿盘设置在炉体内对应转向架的下方，在转向架和下驱动齿盘上分别相对设有下定位齿和下滑动齿；能够有效避免因为熔体没有处于饱和状态导致影响晶体成型质量，且能够提高反应效率。

主权项：1.一种多腔体助熔剂法材料生长装置，其特征在于，包括：炉体（1）；设置在炉体（1）内的坩埚（2），所述坩埚（2）上设有上端开口的熔体腔，熔体腔用于容纳熔体，所述熔体腔外侧壁设有加热器（23）；籽晶架（3），所述籽晶架（3）用于放置籽晶；升降装置（4），升降装置（4）包括延伸进入炉体（1）内的升降杆（41）；转向架（5），所述转向架（5）转动安装于升降杆（41）上，所述籽晶架（3）安装在转向架（5）上，所述熔体腔包括绕转向架（5）转动方向排列设置的第一生长腔体（21）和第二生长腔体（22），上驱动齿盘（6），所述上驱动齿盘（6）设置在炉体（1）内对应转向架（5）的上方，在所述转向架（5）和上驱动齿盘（6）上分别相对设有上定位齿（51）和上滑动齿（61）；下驱动齿盘（7），所述下驱动齿盘（7）设置在炉体（1）内对应转向架（5）的下方，在所述转向架（5）和下驱动齿盘（7）上分别相对设有下定位齿（52）和下滑动齿（71），所述下滑动齿（71）两端设有与下定位齿（52）宽度相适应的齿槽（72）；所述升降杆（41）下降至低位时，所述下定位齿（52）在下滑动齿（71）一端的齿槽（72）内，所述籽晶架（3）浸入第一生长腔体（21）内的熔体中；所述升降杆（41）由低位上升至高位的过程中，籽晶架（3）移出至第一生长腔体（21）上方，下定位齿（52）移出齿槽（72），上定位齿（51）抵触于上滑动齿（61），上滑动齿（61）用于提供反作用力使转向架（5）朝z方向转动预设角度；所述升降杆（41）由高位下降至低位的过程中，下定位齿（52）抵触于下滑动齿（71），下滑动齿（71）用于提供反作用力使转向架（5）继续朝z方向转动预设角度，以致籽晶架（3）移动至第二生长腔体（22）上方，下定位齿（52）进入下滑动齿（71）另一端的齿槽（72）内，最终籽晶架（3）浸入第二生长腔体（22）内的熔体中。

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