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申请/专利权人：铠强科技(平潭)有限公司
摘要：本发明涉及电压基准电路相关领域，具体为一种架构简易可实现高压应用的电压基准电路及实现方法,对比传统结构，本发明结构简单，易于实现，由于不需要运算放大器和带隙基准电路，电子元器件少，使得电路面积得到很大的精简。对工艺要求不高，不需要高压工艺，不需要额外的特殊器件，采用低压工艺令电路产生可承受100V以上高压电源的低压基准，实现了耐高压，降压稳压的目的。满足了低成本，设计方便的特点。因此，具有很高的使用价值和应用价值，适于推广。
主权项：1.一种架构简易可实现高压应用的电压基准电路，其特征在于：其包括与高压电源相连的电阻R5，MOS管PM1、PM2、PM3，三极管Q0、Q1、Q2，以及MOS管NM0和NM5，所述电阻R5的POS端连接高压电源，所述电阻R5的Neg端连接电阻R1、电阻R0的POS端、MOS管PM2的源端、MOS管PM1的源、衬底、漏端，以及MOS管NM0的源端；所述MOS管NM0的门端接MOS管PM1的门端、MOS管PM3的漏端，以及电阻R2的POS端，所述电阻R2的Neg端以及MOS管NM0的漏端接公共地；所述MOS管PM3的源端接MOS管PM2的漏端，所述MOS管PM3门端接电阻R1的Neg端，以及MOS管NM5的漏端；所述MOS管NM5的源端接三极管Q0的发射极，所述MOS管NM5门端接三极管Q2的基极，以及电阻R3的POS端；所述三极管Q0的基极与集电极接公共地端；所述电阻R3的Neg端接三极管Q1的发射极；所述三极管Q1的基极与集电极接公共地端，所述三极管Q2的发射极接电阻R0的Neg端，三极管Q2集电极接公共地端，所述电阻R5的Neg端作为基准电压信号的输出端。
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