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申请/专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要：本发明涉及一种钨硅靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1将钨硅合金原料依次进行夯实装模、冷等静压处理和机加工，得到锭材；所述冷等静压处理包括依次进行的第一升压、第一保压、第二升压、第二保压、第三升压和第三保压；2将步骤1得到的所述锭材依次进行包套装配、焊接、脱气和热等静压处理，得到钨硅靶材；所述热等静压处理包括依次进行的第一升温、第二升温和第一保温。本发明提供的制备方法能够避免引入金属和非金属杂质，降低靶材的氧含量，提升靶材的微观组织均匀性和致密性，避免单质硅团聚。
主权项：1.一种钨硅靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1将钨硅合金原料依次进行夯实装模、冷等静压处理和机加工，得到锭材；所述冷等静压处理包括依次进行的第一升压、第一保压、第二升压、第二保压、第三升压和第三保压；2将步骤1得到的所述锭材依次进行包套装配、焊接、脱气和热等静压处理，得到钨硅靶材；所述热等静压处理包括依次进行的第一升温、第二升温和第一保温。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钨硅靶材的制备方法
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