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申请/专利权人：武汉拓材科技有限公司
摘要：本发明涉及磷化铟单晶制造技术领域，且公开了一种磷化铟单晶的生长装置及其生长方法，包括磷化铟晶体生长炉、石英坩埚、加热保温系统、控制系统，磷化铟单晶的生长方法包含准备设备与材料、设定磷化铟晶体生长条件、放置籽晶与原料、将原料加热至熔融态、控制固液界面、维持磷蒸汽压、缓慢冷却与结晶、取出并检查单晶。该方法通过精确控制温度和气氛条件，实现了磷化铟单晶的高质量生长，采用自动化控制程序，提高了生长过程的稳定性和可重复性，适用于大规模生产，具有较高的生产效率，在整个生长过程中，要严格控制各种参数和条件，确保单晶的质量和性能达到要求。同时，不断总结和积累经验，优化生长工艺，提高单晶的产量和质量。
主权项：1.一种磷化铟单晶的生长方法，其特征在于：包括磷化铟晶体生长炉、石英坩埚、加热保温系统、控制系统，所述磷化铟单晶的生长方法包含以下步骤：S1、准备设备与材料；S2、设定磷化铟晶体生长条件；S3、放置籽晶与原料；S4、将原料加热至熔融态；S5、控制固液界面；S6、维持磷蒸汽压；S7、缓慢冷却与结晶；S8、取出并检查单晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉拓材科技有限公司 一种磷化铟单晶的生长装置及其生长方法
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