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申请/专利权人：西湖烟山科技(杭州)有限公司
摘要：本发明公开了一种发光二极管结构及其制备方法，发光二极管结构包括：发光单元层包括间隔设置的多个发光单元；每一发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第二半导体层包括第一子区和第二子区，第二子区还包括中心区和边缘区，边缘区包括第一光子晶体结构，第一光子晶体结构和发光层一一对应设置；和或，多个第二光子晶体结构位于发光单元层远离基板的一侧，第二光子晶体结构和发光单元一一对应设置，第二光子晶体结构在基板上的垂直投影覆盖发光单元在基板上的垂直投影。本发明可以提升光利用率和准直性。
主权项：1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：发光单元层，所述发光单元层位于基板的一侧；所述发光单元层包括间隔设置的多个发光单元；每一所述发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层远离所述基板的一侧；所述第二半导体层包括第一子区和第二子区，所述第二子区位于所述第一子区远离所述基板的一侧，所述第二子区还包括中心区和边缘区，所述边缘区环绕所述中心区，所述边缘区包括第一光子晶体结构，所述第一光子晶体结构和所述发光层一一对应设置；和或，多个第二光子晶体结构，第二光子晶体结构位于所述发光单元层远离所述基板的一侧，所述第二光子晶体结构和所述发光单元一一对应设置，所述第二光子晶体结构在所述基板上的垂直投影覆盖所述发光单元在所述基板上的垂直投影。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西湖烟山科技(杭州)有限公司 一种发光二极管结构及其制备方法
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