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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明涉及一种数据写入电路、存储器和数据写入方法。该数据写入电路包括：多级驱动模块，每一级驱动模块用于连接对应层级的多个存储阵列和下一级的驱动模块，用于驱动待写入数据传输至对应层级的多个存储阵列对应的数据路径上和或下一级的驱动模块中；控制模块，连接每一级驱动模块，用于根据每一个存储阵列的写入控制信号，向待写入数据的目标存储阵列对应层级的驱动模块和或下一级的驱动模块发送驱动控制信号，驱动控制信号用于调整驱动模块的驱动能力；其中，不同存储阵列对应的数据路径用于接收不同的写入控制信号，写入控制信号用于连通数据路径和对应的存储阵列。本发明可以降低时间匹配难度。
主权项：1.一种数据写入电路，其特征在于，包括：多级驱动模块，每一级所述驱动模块用于连接对应层级的多个存储阵列和下一级的所述驱动模块，用于驱动待写入数据传输至对应层级的多个所述存储阵列对应的数据路径上和或下一级的所述驱动模块中；控制模块，连接每一级所述驱动模块，用于根据每一个所述存储阵列的写入控制信号，向所述待写入数据的目标存储阵列对应层级的所述驱动模块和或下一级的所述驱动模块发送驱动控制信号，所述驱动控制信号用于调整所述驱动模块的驱动能力；其中，不同所述存储阵列对应的所述数据路径用于接收不同的所述写入控制信号，所述写入控制信号用于连通所述数据路径和对应的所述存储阵列。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 数据写入电路、存储器和数据写入方法
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