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申请/专利权人：青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
摘要：本发明涉及一种提升SOSIC复合衬底键合质量的方法，所述方法通过双面离子注入，克服了单面离子注入造成的硅衬底应力形变问题，能够降低硅衬底的翘曲度；而后通过原位沉积找平层，提升硅衬底表面平整度，从而保证硅衬底与碳化硅衬底进行键合时的键合质量；由于在硅衬底的相对两个表面均键合有碳化硅衬底，因此在进行裂片时，两个键合界面会产生大小相等、方向相反的两个热应力，从而达到相互抵消的效果，因此，本发明提供的方法还能够有效改善硅和碳化硅两种材料由于热膨胀系数差异导致的碎片问题。
主权项：1.一种提升SOSIC复合衬底键合质量的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1硅衬底具有相对设置的第一表面与第二表面，分别对第一表面与第二表面进行离子注入，形成靠近第一表面的第一离子注入层以及靠近第二表面的第二离子注入层；其中，对第一表面进行离子注入的次数为至少1次，且对第二表面进行离子注入的次数为至少1次；2分别在硅衬底的第一表面与第二表面原位沉积找平层，提升硅衬底表面平整度；3提供硅面分别独立地设置有绝缘层的第一碳化硅衬底与第二碳化硅衬底，使第一碳化硅衬底、第二碳化硅衬底的绝缘层侧分别与硅衬底的双面键合，得到第一键合体；4第一键合体进行裂片处理，得到两片SOSIC键合片，分别依次进行退火处理与抛光处理，得到SOSIC复合衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 一种提升SOSIC复合衬底键合质量的方法
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