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申请/专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种基于衬底剥离工艺的氮化镓器件，在氮化镓器件的底部蓝宝石基底替换为金属种子层及金属电极层，对于水平器件，大大提高了其散热效能，对于垂直器件，直接降低了制作成本。本实用新型通过传统蓝宝石衬底剥离技术后直接电镀金属的方式，以高导热性的金属作为散热衬底，同时也避免了使用其他散热基板的需要，相比传统基于衬底剥离的散热方案，工艺更简单，成本也更低。
主权项：1.一种基于衬底剥离工艺的氮化镓水平器件，其特征在于：所述氮化镓器件包括HEMT结构和HEMT结构下方形成的缓冲层，所述HEMT结构顶部为栅极金属电极、源极金属电极以及漏极金属电极，所述缓冲层下方为金属种子层及金属电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州英嘉通半导体有限公司 基于衬底剥离工艺的氮化镓器件
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