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申请/专利权人：国立大学法人东海国立大学机构;AGC株式会社
摘要：本发明提供一种使结晶性优异且平坦性优异的氧化镓外延生长的氧化镓膜的制造装置。制造装置1000具有：反应室1100、位于反应室1100的内部的基板配置部1200、向基板配置部1200供给Ga的镓元素供给装置1300、向基板配置部1200供给氧构成粒子的氧元素供给装置1400、以及向氧元素供给装置1400供给包含氧和臭氧的混合气体的混合气体供给装置1800。氧元素供给装置1400具有将混合气体等离子体化的等离子体产生部。
主权项：1.一种氧化镓膜的制造装置，具有：反应室，基板配置部，位于所述反应室的内部，用于配置使氧化镓生长的基板，镓元素供给装置，向所述基板配置部供给镓元素，氧元素供给装置，向所述基板配置部供给氧构成粒子，以及混合气体供给装置，向所述氧元素供给装置供给包含氧和臭氧的混合气体；所述氧元素供给装置具有将所述混合气体等离子体化的等离子体产生部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国立大学法人东海国立大学机构 AGC株式会社 氧化镓膜及其制造装置和制造方法
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