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申请/专利权人：信越半导体株式会社
摘要：本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部向原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于冷却筒，冷却辅助筒的材料由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，冷却辅助筒具有覆盖冷却筒的面对原料融液的底面的结构，冷却辅助筒与冷却筒的底面的间隙是1.0mm以下。由此，能够提供一种可增大结晶内温度梯度并实现单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。
主权项：1.一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚以及对所述原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于该主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于所述提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从所述主腔室的至少顶部向所述原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于该冷却筒，其特征在于，所述冷却辅助筒的材质由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，所述冷却辅助筒具有凸缘，所述凸缘通过从所述冷却筒的内侧向外侧突出而覆盖所述冷却筒的面对所述原料融液的底面，所述冷却辅助筒的所述凸缘与所述冷却筒的所述底面的间隙是1.0mm以下。
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