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申请/专利权人：TDK株式会社
摘要：本发明涉及一种坩埚、结晶制造方法及单晶。该坩埚G是用于氧化物单晶的生长的坩埚G，且具备沿厚度方向层叠并接合的多个氧化物板G1～G10，各个氧化物板G1～G10中的添加物的浓度不同。结晶制造方法通过一边使晶种接触坩埚内的熔融液的露出表面，一边使露出表面的位置沿铅直方向移动，由此使氧化物单晶生长。在氧化镓的单晶中，沿生长轴方向的添加物的浓度可以优选地设为平均值±5％的范围内。
主权项：1.一种坩埚，其特征在于，所述坩埚用于氧化物单晶的生长，具备主体，所述主体包含含有添加物的氧化物，在所述主体的所述氧化物中，设定沿单轴配置的多个区域，所述多个区域中，第1区域中的所述添加物的浓度高于第2区域中的所述添加物的浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： TDK株式会社 坩埚、结晶制造方法及单晶
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