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申请/专利权人：浙江晶科能源有限公司

摘要：本公开实施例涉及光伏技术领域，提供一种单晶硅棒的掺杂量计算方法和单晶硅棒的制备方法，以应用于掺杂有强挥发性质的掺杂剂的单晶硅棒中，从而提高该类单晶硅棒的电阻率的均匀性。单晶硅棒的掺杂量计算方法包括：确定炉台报料加次；在炉台报料加次大于1时，向坩埚加入母合金和掺杂剂；依次进行至少一次引放工序、等径生长工序和复投加料工序；在向坩埚加入循环料后，判断是否成立；若成立，计算在复投加料工序结束后，坩埚内剩余的掺杂剂的实际数量Asf；根据Mb=（As0‑Asf）LNA，计算在复投加料工序结束后需要补掺的掺杂剂的质量Mb；根据Mc=AmPCc，计算在复投加料工序结束后需要补掺的母合金的质量Mc。

主权项：1.一种单晶硅棒的掺杂量计算方法，其特征在于，包括：确定炉台报料加次；所述炉台报料加次表示向坩埚掺杂母合金和掺杂剂的次数；所述母合金为掺杂有第一元素的N型合金，所述掺杂剂为包括第二元素的单质，所述第一元素和所述第二元素分别为第五主族元素中的不同元素，或者，所述第一元素为所述第五主族元素中的任一元素，所述第二元素为第三主族元素中的任一元素；在所述炉台报料加次大于1时，向所述坩埚加入所述母合金和所述掺杂剂；依次进行至少一次引放工序、等径生长工序和复投加料工序；其中所述复投加料工序包括向所述坩埚加入循环料；在向所述坩埚加入所述循环料后，判断是否成立，其中，所述M1是指在加入所述循环料之后所述坩埚内的预设剩料量的质量；所述Mg是指在加入所述循环料之后所述坩埚内的实际剩料量的质量；所述My为硅棒的单位体积对应的质量，所述C1为第一预设常数，所述C1的范围为[1.5，3]；若成立，则根据所述复投加料工序中的蒸发常数Rd和所述复投加料工序中累计蒸发的所述掺杂剂的数量Aq，计算在所述复投加料工序结束后，所述坩埚内剩余的所述掺杂剂的实际数量Asf；根据Mb=（As0-Asf）LNA，计算在所述复投加料工序结束后需要补掺的所述掺杂剂的质量Mb，其中，所述As0指在所述复投加料工序结束后所述坩埚内的所述掺杂剂的预设数量，所述L是指所述掺杂剂的分子量，所述NA是指阿伏伽德罗常数；根据Mc=AmPCc，计算在所述复投加料工序结束后需要补掺的所述母合金的质量Mc，其中，所述Am是指在所述复投加料工序结束后实际需要补掺的所述母合金中的杂子总数，所述P是指所述母合金中硅的密度值，所述Cc是指所述母合金中所述第一元素的浓度值。

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百度查询： 浙江晶科能源有限公司 单晶硅棒的掺杂量计算方法和单晶硅棒的制备方法