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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明提供一种拆分FinFET晶体管电阻的方法，提供FinFET晶体管的总电阻和外部电阻以及通道电阻的关系，根据总电阻与外部电阻与栅极电压的关系，分别在栅极施加不同的电压得到总电阻的阻值与外部电阻的阻值，计算出通道电阻阻值；分别测试连接于外延层的金属接触线的顶部电压、底部电压以及电流，计算得到接触电阻阻值；测试相邻两个金属接触线顶部的电压差，计算出外延层电阻的阻值；计算金属接触线电阻阻值；根据外部电阻与栅极侧墙电阻、外延层电阻、接触电阻及金属接触线电阻的关系以及外部电阻阻值、外延层电阻阻值、接触电阻阻值、金属线通孔电阻阻值计算出栅极侧墙电阻阻值。

主权项：1.一种拆分FinFET晶体管电阻的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供FinFET晶体管的总电阻和外部电阻以及通道电阻的关系，所述总电阻阻值Rtotal为所述通道电阻阻值Rch与所述外部电阻的阻值Rexternal两倍之和，即Rtotal＝Rch+2*Rexternal；步骤二、根据所述总电阻与所述外部电阻与栅极电压的关系，分别在栅极施加不同的电压得到所述总电阻的阻值Rtotal与所述外部电阻的阻值Rexternal，进而计算得出所述通道电阻的阻值Rch；步骤三、分别测试连接于外延层的金属接触线的顶部电压Vs1、该金属接触线的底部电压Vs2以及流过该金属接触线的电流If，根据电压降Vdrop与该电流If的关系，计算得到接触电阻的阻值Rcnt；步骤四、测试相邻两个金属接触线顶部的电压差Vs1-Vcom，Vcom是与连接于外延层的金属接触线相邻的金属接触线的顶部电压；根据所述电压差Vs1-Vcom与流过该金属接触线的电流If的关系，计算得出外延层电阻的阻值Repi；步骤五、计算金属接触线电阻的阻值Rbeol；步骤六、根据所述外部电阻与栅极侧墙电阻、外延层电阻、接触电阻以及金属接触线电阻的关系以及得到的所述外部电阻的阻值Rexternal、外延层电阻的阻值Repi、接触电阻的阻值Rcnt、金属接触线电阻的阻值Rbeol计算得出栅极侧墙电阻阻值Rsp；其中所述外部电阻的阻值Rexternal为所述栅极侧墙电阻阻值Rsp、所述外延层电阻的阻值Repi、所述接触电阻的阻值Rcnt以及所述金属接触线电阻的阻值Rbeol之和，即Rexternal＝Rsp+Repi+Rcnt+Rbeol。

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