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申请/专利权人：湖北科技学院
摘要：本发明涉及一种基于缺陷光子晶体中合成角度GH位移的病理切片检测结构，可表示为DABNCBAN，其中N为光子晶体的周期数，A、B分别为折射率不同的电介质薄片，C为待测折射率的病理切片，D为半球形电介质光波导。本发明还提供一种基于缺陷光子晶体中合成角度GH位移的病理切片检测方法，将两个不同入射角度测得的角度GH位移数据相加，得到一组灵敏度和线性度均较好且检测范围更宽的合成角度GH位移曲线，根据合成角度GH位移与切片折射率实部的正比关系得到切片的折射率实部，从而提高病理切片折射率检测的准确度。本发明所述检测结构及检测方法不仅检测速度快、操作简单，而且不会损坏病理切片，便于大规模生产和应用。
主权项：1.一种基于缺陷光子晶体中合成角度GH位移的病理切片检测结构，其特征在于，所述病理切片检测结构可表示为DABNCBAN，其中N为光子晶体的周期数，A、B分别为折射率不同的电介质薄片，C为待测折射率的病理切片，D为半球形电介质光波导；即整个结构的主体是病理切片C作为缺陷层置于两个周期光子晶体ABN和BAN的正中间，形成带缺陷的对称周期光子晶体PCN＝ABNCBAN，光波导D置于PCN的入射端，最终形成结构DABNCBAN；所述病理切片检测结构中，反射光线相对于几何光学预测位置存在角度偏转，即角度古斯-汉森位移；两个不同入射角度得到的角度古斯-汉森位移相加形成的合成角度GH位移与病理切片C的折射率实部存在一一对应关系。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北科技学院 一种基于缺陷光子晶体中合成角度GH位移的病理切片检测结构及检测方法
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