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申请/专利权人：湘潭大学
摘要：本发明公开了一种六边形互扣式电极三维硅探测器，包括六棱柱状的隔离硅体，隔离硅体的中心轴向设有中心电极，隔离硅体的六个侧面设有上下拼接的第一沟槽电极和第二沟槽电极，第一沟槽电极由两块C形沟槽电极卡扣而成，第一沟槽电极和中心电极的顶部设有金属接触层，金属接触层之间的隔离硅体顶部设有二氧化硅保护层，第二沟槽电极、中心电极和隔离硅体的底部设有二氧化硅保护层；本发明制备的六边形互扣式电极三维硅探测器死区小、内部电场分布均匀、电荷收集性能好，探测单元之间的单元独立性良好，探测效率高，对硅晶圆的利用率高。
主权项：1.六边形互扣式电极三维硅探测器，其特征在于，包括呈六棱柱状的隔离硅体（5），隔离硅体（5）的中心轴向贯穿刻蚀有中心电极（4），隔离硅体（5）的六个侧面从上至下刻蚀有第一沟槽电极（1），所述隔离硅体（5）的六个侧面从下至上刻蚀有第二沟槽电极（3），所述第一沟槽电极（1）与第二沟槽电极（3）拼接，所述第一沟槽电极（1）由两块C形沟槽电极卡扣而成，两个C形沟槽电极的卡接处留有未刻蚀的S形隔离硅体（2）；所述第二沟槽电极（3）、隔离硅体（5）、中心电极（4）的底面覆盖有二氧化硅保护层（7）；所述第一沟槽电极（1）和中心电极（4）的顶面覆盖有金属接触层（6），所述第一沟槽电极（1）、中心电极（4）之间的隔离硅体（5）上覆盖有二氧化硅保护层（7），所述二氧化硅保护层（7）与金属接触层（6）等高；所述隔离硅体（5）的总高度为300µm～500µm，所述第一沟槽电极（1）的高度为隔离硅体（5）总高度的10%，所述第二沟槽电极（3）的高度为隔离硅体（5）总高度的90%，所述第一沟槽电极（1）和第二沟槽电极（3）的壁厚均为10µm，所述S形隔离硅体（2）的壁厚为3µm～4µm，所述二氧化硅保护层（7）与金属接触层（6）的厚度均为1µm；所述中心电极（4）的横截面边长为5µm，所述中心电极（4）横截面的侧边与第一沟槽电极（1）顶面的侧边平行，中心电极（4）的拐角与第一沟槽电极（1）的拐角间距为50µm。
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百度查询： 湘潭大学 六边形互扣式电极三维硅探测器
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