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申请/专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种Caplayer层蚀刻优化方法，包括以下步骤：S1、准备全结构的外延片；S2、对所述外延片的N面进行翘曲补偿处理；S3、在所述外延片P面的Caplayer层上沉积一层光学膜；S4、将沉积有光学膜的外延片进行欧姆接触光刻，使光刻胶边缘具有倾角；S5、利用干法刻蚀，刻蚀掉所述光刻胶覆盖范围以外的光学膜；S6、进行欧姆接触金属沉积，将金属沉积在刻蚀掉的区域内，使沉积后的金属与所述光刻胶边缘的倾角和Caplayer层紧密接触；S7、使用SN830溶液去除所述光刻胶。通过该工艺方法，使沉积后的金属与光刻胶紧密贴合，避免SN830溶液对Caplayer层造成蚀刻现象，增大了选择比，方便控制蚀刻角度，提升芯片的良率并且极大程度地保护了芯片的性能。
主权项：1.一种Caplayer层蚀刻优化方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、准备全结构的外延片；S2、对所述外延片的N面进行翘曲补偿处理；S3、在所述外延片P面的Caplayer层上沉积一层光学膜；S4、将沉积有光学膜的外延片进行欧姆接触光刻，使光刻胶边缘具有倾角；S5、利用干法刻蚀，刻蚀掉所述光刻胶覆盖范围以外的光学膜；S6、进行欧姆接触金属沉积，将金属沉积在刻蚀掉的区域内，使沉积后的金属与所述光刻胶边缘的倾角和Caplayer层紧密接触；S7、使用SN830溶液去除所述光刻胶；步骤S4中，使光刻胶边缘具有倾角的所述欧姆接触光刻的方法如下：S41、使用旋涂机在外延片上进行涂胶工艺，使光刻胶胶厚至少3um；S42、使用曝光机进行曝光，其曝光参数为曝光剂量2500、焦距0；S43、利用显影液对所述曝光后的外延片进行显影处理；步骤S6中，液态金属顺着所述光刻胶边缘的倾角往下沉积，金属凝固后与光刻胶相互紧密贴合。
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权利要求：
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