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申请/专利权人：浙江材孜科技有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚、第一多孔石墨片、第二多孔石墨片、籽晶托。基于PVT法生长碳化硅晶体生长的过程中，第一多孔石墨片、第二多孔石墨片过滤大颗粒的碳聚集体，减少晶体内部碳包裹体的形成，提升结晶质量；同时，第一多孔石墨片、第二多孔石墨片具有隔热作用，改善坩埚内部温度的梯度分布，提高碳化硅粉料区域的温度，使碳化硅粉料充分升华，提高碳化硅粉料的利用率，维持碳化硅籽晶区域的SiC平衡，提升碳化硅晶体的生长质量，并且也加快了碳化硅晶体的生长速率，从而提高生产效率。
主权项：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚、第一多孔石墨片、第二多孔石墨片、籽晶托；所述坩埚顶端具有开口，所述坩埚内容纳有碳化硅粉料，所述坩埚内侧壁具有第一装配结构，所述碳化硅粉料的高度小于所述坩埚内侧壁的第一装配结构；所述籽晶托盖设在所述坩埚的开口处，所述籽晶托朝向所述碳化硅粉料的一侧设置有碳化硅籽晶；所述第一多孔石墨片设置于所述碳化硅粉料的表面；所述第二多孔石墨片与所述坩埚的第一装配结构相配合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江材孜科技有限公司 一种碳化硅晶体生长装置
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