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申请/专利权人:沈阳西卡精细陶瓷有限公司
摘要:本发明公开了一种光伏、半导体用低铁含量无污染碳化硅舟托的制造方法,将SiC粉体倒入酸洗剂溶液中,进行超声辅助搅拌酸洗,获得酸洗浆料;采用注浆成型工艺获得舟托拆分部件毛坯,坯体通过自然干燥、热风干燥排出水分后修坯雕刻成符合尺寸要求的舟托拆分部件半成品,半成品进入感应炉经过温度2000‑2300℃在惰性气体保护下高温纯化烧结,即得碳化硅舟托拆分部件素坯;将碳化硅舟托拆分部件素坯进行拼接,拼接成完整的舟托后送入真空炉经过1650~1700℃高温渗硅烧结处理,出窑后经过研磨、喷砂、精洗、除杂和超声波清洗、干燥工艺处理,得到低铁含量无污染碳化硅舟托,能够广泛用于光伏、半导体行业,具有较高的社会使用价值和应用前景。
主权项:1.一种光伏、半导体用低铁含量无污染碳化硅舟托的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、酸洗提纯将SiC粉体倒入酸洗剂溶液中,进行超声辅助搅拌酸洗,获得酸洗浆料;其中,所述的酸洗剂溶液浓度为0.05~0.2molL,超声功率为180W~270W;S2、水洗、干燥处理酸洗浆料经去离子水反复冲洗,并调节PH值为6-7,获得水洗后SiC粉体,再进行烘干处理即得低铁含量的碳化硅粉末;S3、原材料混合将低铁含量的碳化硅粉末与耐高温粘结剂按照一定的比例混合均匀,将适量的烧结助剂添加到混合物中,混合研磨制备泥浆;S4、毛坯成型采用注浆成型工艺获得舟托拆分部件毛坯,坯体通过自然干燥、热风干燥排出水分后修坯雕刻成符合尺寸要求的舟托拆分部件半成品,半成品进入感应炉经过温度2000-2300℃在惰性气体保护下高温纯化烧结,即得碳化硅舟托拆分部件素坯;S5、拼接烧结将碳化硅舟托拆分部件素坯进行拼接,拼接成完整的舟托后送入真空炉经过1650~1700℃高温渗硅烧结处理,出窑后经过研磨、喷砂、精洗、除杂和超声波清洗、干燥工艺处理,得到低铁含量无污染碳化硅舟托。
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