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申请/专利权人：电子科技大学;成都高新发展股份有限公司
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，提供一种碳化硅VDMOS器件的SPICE模型建模方法，用以针对碳化硅VDMOS器件构建高准确度的SPICE模型。本发明创新性的提出：将基于半导体物理机理的TCAD软件Silvaco仿真结果作为数据源进行SPICE模型建模，同时，对SPICE模型及其模型参数进行改进，并基于数据源对模型参数中的待拟合参数进行拟合求解，最终建立得到碳化硅VDMOS器件的SPICE模型；本发明避免了直接基于产品手册上仿真漏源极电流转移特性、输出特性以及输入电容、输出电容、反馈电容等相关数据，Silvaco仿真结果使得拟合公式更具有物理意义且准确度更高。综上，本发明能够针对碳化硅VDMOS器件进行快速、高效的高准确度建模。
主权项：1.一种碳化硅VDMOS器件的SPICE模型建模方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.构建碳化硅VDMOS器件的子电路模型；步骤2.构建碳化硅VDMOS器件的子电路模型的模型参数，包括：电流值Ids、漏源电容值CDS、栅漏电容值CGD、栅源电容值CGs；步骤3.在Silvaco软件中构建VDMOS模型，并基于VDMOS模型进行仿真，得到输出特性曲线、漏源电容随漏源电压的变化曲线、栅漏电容随漏源电压的变化曲线、栅源电容随漏源电压的变化曲线；步骤4.根据步骤3所得所有数据，在MATLAB中使用最小二乘法和均值法进行自动拟合，得到模型参数中所有待拟合参数，由此得到完整SPICE模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 成都高新发展股份有限公司 一种碳化硅VDMOS器件的SPICE模型建模方法
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