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申请/专利权人：上海领耐半导体技术有限公司
摘要：本发明提供一种3D组对结构的单存储管NOR闪存及其操作方法。该闪存中，栅极堆叠结构中一个栅极层穿插设置在相邻两个隔离层之间，栅极堆叠结构中具有多个开口，第一导电类型的两个第一掺杂柱为一组且间隔竖立在一个开口内；第二导电类型的两个第二掺杂柱为一组且设置在同一个开口中，同组的两个第二掺杂柱分别贴覆一个第一掺杂柱的两个侧壁；一组第二掺杂柱的一个与一条局部位线相接触，另一个与一条局部源线相接触；一个电荷陷阱结构填充一个第一掺杂柱和其对应的开口侧壁之间的间隙。这样可以显著地提高闪存的存储密度。本发明提供的操作方法用于对上述的闪存进行数据操作。
主权项：1.一种3D组对结构的单存储管NOR闪存，其特征在于，包括：栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括层叠设置的多个第一隔离层和多个栅极层，一个所述栅极层穿插设置在相邻两个所述第一隔离层之间，所述栅极堆叠结构中具有多个开口；多个第一掺杂柱，所述第一掺杂柱为第一导电类型，两个所述第一掺杂柱为一组且间隔竖立在一个所述开口内；所述第一掺杂柱具有相对的第一侧壁和第二侧壁以及相对的第三侧壁和第四侧壁；针对一组所述第一掺杂柱，一个所述第一掺杂柱的第一侧壁面向所述开口的侧壁且第二侧壁面向另一个所述第一掺杂柱；多个第二掺杂柱，所述第二掺杂柱为与所述第一导电类型相反的第二导电类型；两个所述第二掺杂柱为一组且设置在同一个所述开口中，同组的两个所述第二掺杂柱分别贴覆一个所述第一掺杂柱的第三侧壁和第四侧壁；多个电荷陷阱结构，一个所述电荷陷阱结构填充一个所述第一掺杂柱和所述第一掺杂柱的第一侧壁面向的开口侧壁之间的间隙；以及竖立在多个所述开口内的多条局部位线和多条局部源线，一条所述局部位线和一条所述局部源线为一组且对应一组所述第二掺杂柱；同组的两个所述第二掺杂柱的一个与对应的所述局部位线相接触，另一个与对应的所述局部源线相接触。
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权利要求：
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