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申请/专利权人：日升存储公司
摘要：本发明揭示一种包括三维NOR存储器串的存储器结构及其制造方法。在一些具体实例中，一种存储器结构包括经组织为水平NOR存储器串的可随机存取的铁电储存晶体管。所述NOR存储器串形成在薄膜储存晶体管的多个可扩缩存储器堆叠中的一半导体基板上方。所述三维存储器堆叠是在一程序中制作，该程序包括形成用于垂直局部字元线的操作沟槽，及形成辅助沟槽以借由一背面选择性蚀刻程序促进背巷金属替代及通道分离。在一些具体实例中，所述铁电储存晶体管为无接面式场效晶体管FeFET，其具有作为毗邻作为通道区域的一半导体氧化物层形成的栅极介电层的一铁电极化层。
主权项：1.一种形成在半导体基板的平坦表面上面的三维存储器结构，该存储器结构包含：数个存储器堆叠，其沿着第一方向配置，各存储器堆叠借由沟槽与沿着该第一方向的紧邻存储器堆叠中的各者分离，各存储器堆叠及各沟槽在第二方向上延伸，该第一方向及该第二方向彼此正交且两者实质上平行于该半导体基板的该平坦表面，其中i各存储器堆叠包含至少一个主动层，该主动层包含由第一隔离层间隔开的第一导电层及第二导电层；且ii所述沟槽包含沿着该第一方向交替配置的第一类型的沟槽及第二类型的沟槽；数个栅极电极结构，其设置在该第一类型的所述沟槽中，且在该第二方向上间隔开地配置，所述栅极电极结构在实质上垂直于该半导体基板的该平坦表面的第三方向上延伸，各栅极电极结构包括i形成在该第一类型的所述沟槽的侧壁上且与该第一导电层及该第二导电层接触的半导体氧化物层；ii毗邻该半导体氧化物层设置的铁电介电层；及iii毗邻该铁电介电层而形成的栅极导体层；及隔离材料，其设置在该第二类型的所述沟槽中，其中该存储器堆叠中的各主动层形成数个薄膜铁电存储器晶体管，其组织为NOR存储器串，各存储器晶体管形成在该主动层与栅极电极结构的交叉点处，该数个存储器堆叠在该第一类型的所述沟槽中形成数个NOR存储器串。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日升存储公司 包括无接面式铁电存储器晶体管的三维NOR存储器串的存储器结构及其制造方法
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