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申请/专利权人：上海三菲半导体有限公司

摘要：本发明公开一种半导体激光器件的端面制备及镀膜方法，属于半导体激光器件的制备技术领域，包括以下步骤：步骤1，采用感应耦合等离子体‑反应离子刻蚀方法形成激光器件的前端面、后端面；步骤2，通过光刻的方式露出前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域，然后对晶圆显影；步骤3，采用无机溶液对前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域进行湿法化学抛光；步骤4，以真空电子束蒸镀的方式进行镀膜，镀膜过程中以离子束轰击前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域；步骤5，将镀膜后的晶圆做快速剥离及有机溶液清洗。本发明能简化工艺流程，并极大地提升型腔面镀膜的质量，提高器件长期可靠性。

主权项：1.一种半导体激光器件的端面制备及镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，采用感应耦合等离子体-反应离子刻蚀方法形成激光器件的前端面、后端面；步骤2，通过光刻的方式露出前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域，然后对晶圆显影；步骤3，采用无机溶液对前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域进行湿法化学抛光；步骤4，以真空电子束蒸镀的方式进行镀膜，镀膜过程中以离子束轰击前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域；步骤5，将镀膜后的晶圆做快速剥离及有机溶液清洗；所述步骤4中，在前端面的待镀膜区域蒸镀第一膜层，再在第一膜层上蒸镀第二膜层，蒸镀第一膜层所用介质材料为二氧化钛，蒸镀第二膜层所用介质材料为二氧化硅；所述步骤4中，在后端面的待镀膜区域依次蒸镀第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层、第七膜层、第八膜层、第九膜层、第十膜层，蒸镀第三膜层、第五膜层、第七膜层、第九膜层所用介质材料为氧化铝，蒸镀第四膜层、第六膜层、第八膜层、第十膜层所用介质材料为硅，形成高反膜；所述步骤1具体为：将晶圆放入感应耦合等离子体-反应离子刻蚀设备中，晶圆刻蚀过程中，温度为45-55℃，氯气流量为18-22sccm，氩气流量为4-6sccm，感应耦合等离子体的功率为200-250W，偏射电压射频源的功率为100-120W，腔室压力为200-250mTorr，刻蚀时间为至少4分钟；所述步骤4的具体步骤为：步骤41，将待镀膜的晶圆和检测小样放入电子束蒸镀设备中进行通透膜的蒸镀，其中，检测小样的材质与晶圆的材质相同；步骤42，测量检测小样的反射率；所述步骤4的蒸镀过程中，晶圆和检测小样分别紧固于治具的承台，治具包括竖直的中轴线；开始蒸镀之前，晶圆处于初始位置，晶圆所在平面与介质材料蒸发形成的蒸气云球面在晶圆位置的法平面呈45度角；在蒸镀过程中，晶圆绕治具的竖直的中轴线作圆周运动，同时，晶圆在其所在平面与前述法平面呈30°到60°夹角的范围内往复摆动；所述步骤5将镀膜后的晶圆做快速剥离的具体步骤为：步骤51，用海绵辊施加压力滚压将蓝膜均匀贴附在晶圆表面；步骤52，将蓝膜揭下，附着在感光性光刻胶层表面的介质材料将被一同揭下；步骤53，将揭下蓝膜后的晶圆放入50-60℃的剥离溶液中，浸泡至少20分钟后取出。

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