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申请/专利权人:山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要:本发明涉及一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法,包括:1边缘参数记录确认:确认要翻膜作业的芯片的边缘不良参数的圈数并做记录;2翻P面粘膜去除边缘不良品:根据记录单参数行数确认去除的圈数,整圈翻掉去除边缘不良品;3N面检验;4翻N面粘膜:变成N面粘膜,P面向上;5P面检验;6画片参数分档;8入库。本发明用于提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法,在现有成熟的常规作业方法上,进一步优化调整更新工艺方法,取长补短,在提高作业效率的同时也提高了单片的产出粒数,工艺变更效果比较明显。
主权项:1.一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法,其特征在于,提前裁剪出贴合芯片的从全覆盖芯片到漏出芯片边缘1至20圈的若干个挡板,包括步骤如下:1边缘参数记录确认:对测试后的芯片数据进行统计分析,确认要翻膜作业的芯片的边缘不良参数的圈数并做记录;2翻P面粘膜去除边缘不良品:根据步骤1记录的边缘不良参数的圈数,通过提前裁剪好的挡板,覆盖到芯片上,遮住不需要翻除的芯片,漏出边缘不良参数的圈数的芯片,整圈翻掉去除边缘不良品;3N面检验:对步骤2切割后的芯片的N面外观进行有无崩裂的检验;4翻N面粘膜:步骤3检验结束后,将管芯颠倒方向,变成N面粘膜,P面向上;5P面检验:对芯片的P面外观进行有无崩裂的检验;6画片参数分档:根据测试生成的数据晶圆图进行参数的分档作业,将管芯划分成不同参数要求的区域范围;7翻成品膜:根据画片后的参数范围,将芯片再次通过翻膜分到不同的成品膜上去,变成待入库的产成品;8入库:将相同参数范围的成品膜放在一个包装袋内,并提供片源明细,完成入库。
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权利要求:
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