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申请/专利权人:鄂尔多斯市隆基硅材料有限公司
摘要:本发明公开一种硅片清洗方法,涉及单晶硅棒生产技术领域。该硅片清洗方法能够简化硅片清洗工序并降低清洗成本。该硅片清洗方法包括:于第一预设清洗温度,在第一清洗槽内利用清洗液清洗硅片,以获得第一硅片;于第二预设清洗温度,在第二清洗槽内利用阴极电解离子水清洗第一硅片,以获得第二硅片;于相应预设清洗温度,在漂洗槽内清洗所述第二硅片,以获得漂洗硅片;阴极电解离子水通过电解池电解自来水得到,并且阴极电解离子水的成分包括H2O分子、OH‑离子。
主权项:1.一种硅片清洗方法,其特征在于,步骤为:提供盛装有清洗液的第一清洗槽,于第一预设清洗温度,在所述第一清洗槽内清洗硅片,以获得第一硅片;提供盛装有阴极电解离子水的第二清洗槽,于第二预设清洗温度,在所述第二清洗槽内清洗所述第一硅片,用于去除所述第一硅片上的酯类有机物,以获得第二硅片;提供至少一个盛装有所述清洗液的漂洗槽,于相应预设清洗温度,在所述漂洗槽内清洗所述第二硅片,以获得漂洗硅片;其中,所述阴极电解离子水为通过电解池电解自来水得到,并且所述阴极电解离子水的成分包括H2O分子、OH-离子;所述清洗液为自来水或纯水。
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