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固态电解质材料及其制备方法、正极活性材料、正极极片、固态电池以及用电设备 

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申请/专利权人:北京当升材料科技股份有限公司

摘要:本申请提出了固态电解质材料及其制备方法、正极活性材料、正极极片、固态电池以及用电设备,所述固态电解质材料为NASICON晶体结构,所述固态电解质材料的X射线衍射谱图中,在衍射角2θ值为14.5°‑14.8°处、19.5°‑19.7°处以及22.5°‑22.8°处分别具有特征衍射峰,其中2θ值为14.5°‑14.8°处的特征衍射峰的峰强I1与2θ值为22.5°‑22.8°处的特征衍射峰的峰强I2的比值满足:1.5≤I2I1≤3。由此,提高固态电解质的离子电导率和结构稳定性。

主权项:1.一种固态电解质材料,其特征在于,包括:LixM1yM2zM3uPO4w1P2O7w2ROvw3,其中,M1包括Mg、Na、K中的至少一种;M2包括Al、Ga、In、Y、Sc中的至少一种;M3包括Ti、Zr、Ge中的至少一种;R包括Mo、W、Si、Cl、Br、S、Sb、Sn、F、P中的至少一种;0<x≤5,0≤y≤0.5,0≤z≤1,0≤u≤9,0≤v≤4,1≤w1≤3,0<w2≤2.3,0<w3≤3,w1+w2+w3=3;所述固态电解质材料为NASICON晶体结构,所述固态电解质材料的X射线衍射谱图中,在衍射角2θ值为14.5°-14.8°处、19.5°-19.7°处以及22.5°-22.8°处分别具有特征衍射峰,其中2θ值为14.5°-14.8°处的特征衍射峰的峰强I1与2θ值为22.5°-22.8°处的特征衍射峰的峰强I2的比值满足:1.5≤I2I1≤3。

全文数据:

权利要求:

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