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申请/专利权人：上海川土微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种允许电源及输出反接的电源架构和电源，所述电源架构包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、功率管、电阻以及寄生二极管；第一三极管的发射极与输出电源VOUT连接，第一三极管的基级和第一三极管的集电极连接之后分别与第二三极管的基级、第二三极管的集电极连接；第二三极管的发射极与输入电源VIN连接，集电极与电流源的输入端连接，集电极的输出端接地设置；第三三极管的发射极与输入电源VIN连接，基级与第二三极管的基级连接，集电极与第一NMOS管的漏极连接；第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极连接，栅极与第二NMOS管的栅极连接。本发明至少解决现有电路产品中的功率管不能防止电源或输出反偏的问题。
主权项：1.一种允许电源及输出反接的电源架构，其特征在于，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、功率管、电阻以及寄生二极管；其中，第一三极管的发射极与输出电源VOUT连接，所述第一三极管的基级和所述第一三极管的集电极连接之后分别与所述第二三极管的基级、所述第二三极管的集电极连接；所述第二三极管的发射极与输入电源VIN连接，集电极与所述电流源的输入端连接，所述电流源的输出端接地设置；所述第三三极管的发射极与所述输入电源VIN连接，基级与所述第二三极管的基级连接，集电极与所述第一NMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极连接，栅极与所述第二NMOS管的栅极连接，源极接地设置；所述第二NMOS管的漏极分别与所述电阻的第一端、所述功率管的栅极连接，源极接地设置；所述功率管的漏极与所述输入电源VIN连接，所述功率管的源极分别与所述电阻的第二端、电源系统连接，且所述寄生二极管连接于所述功率管的漏极和源极之间；其中，在输出反偏导致输出电源VOUT比输入电源VIN的电压高时，所述功率管的栅极和源极电位相等。
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权利要求：
百度查询： 上海川土微电子有限公司 一种允许电源及输出反接的电源架构和电源
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