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申请/专利权人：吉林大学
摘要：一种石墨上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由衬底层、石墨烯层、氮极性GaN模板层、氮极性n‑GaN电子提供层、氮极性InGaN基量子阱有源区、氮极性p‑Alx1Ga1‑x1N电子阻挡层、氮极性p‑GaN空穴注入层、p型电极层和n型电极层构成。石墨烯与外延薄膜间的相互作用力弱，量子阱有源区受到的应力会降低，同时外延片的翘曲度会降低，能够提升量子阱层中铟的并入效率、缓解相分离并提高发光均匀性。此外，采用氮极性InGaN量子阱结构能够进一步提高铟的并入效率。因此，在石墨烯上基于氮极性材料能够在更高温度下实现量子阱的外延生长，从而提高量子阱的晶体质量。
主权项：1.一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片，其特征在于：从下至上依次由衬底1、石墨烯层2、氮极性GaN模板层3、氮极性n-GaN电子提供层4、氮极性InGaN基多量子阱有源区5、氮极性p-Alx1Ga1-x1N电子阻挡层6、氮极性p-GaN空穴注入层7组成，氮极性n-GaN电子提供层4和氮极性InGaN基多量子阱有源区5间形成裸露的氮极性n-GaN电子提供层4台面，在氮极性n-GaN电子提供层4台面和氮极性p-GaN空穴注入层7上分别制备有n型电极层9和p型电极层8；氮极性InGaN量子阱有源层区5由垒层Iny0Ga1-y0N和阱层Inx0Ga1-x0N交替生长组成，生长对数在2～5对之间，其中0.1≤x1≤0.4，0.25＜x0≤1，0≤y0＜x0。
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百度查询： 吉林大学 一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法
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