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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种反应副产物的去除方法，该方法应用于对晶圆进行刻蚀之后，改晶圆用于制作半导体器件产品，该方法包括：使刻蚀机台的刻蚀腔室中的压力稳定在预设的压力范围内且使刻蚀腔室中的气体流量稳定在预设的流量范围内；进行等离子体点火；通过提高静电吸盘的温度以及提高氦气的流量去除晶圆背面的反应副产物；进行电荷释放使晶圆不再吸附在静电吸盘上；通过顶针将晶圆顶起，通过氦气冲扫晶圆背面的反应副产物，使晶圆上方的氩气的流量维持在预设的流量范围内且维持预设时间；通过机械手臂抓取晶圆并将晶圆传送至晶圆盒。本申请通能够有效去除晶圆和静电吸盘上的反应副产物，降低了产品的缺陷率，在一定程度上提高了产品良率。
主权项：1.一种反应副产物的去除方法，其特征在于，所述方法应用于对晶圆进行刻蚀之后，所述晶圆用于制作半导体器件产品，所述方法包括：使刻蚀机台的刻蚀腔室中的压力稳定在预设的压力范围内且使刻蚀腔室中的气体流量稳定在预设的流量范围内；进行等离子体点火；通过提高静电吸盘的温度以及提高氦气的流量去除所述晶圆背面的反应副产物；进行电荷释放使所述晶圆不再吸附在所述静电吸盘上；通过顶针将所述晶圆顶起，通过氦气冲扫所述晶圆背面的反应副产物，使所述晶圆上方的氩气的流量维持在预设的流量范围内且维持预设时间；通过机械手臂抓取所述晶圆并将晶圆传送至晶圆盒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 反应副产物的去除方法
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