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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供了一种共烧陶瓷外壳的制备方法，包括以下步骤：制作HTCC生瓷件与LTCC生瓷件，LTCC生瓷件的尺寸包括用于补偿烧结收缩量的补偿量；以第一温度烧结HTCC生瓷件并冷却至室温，获得HTCC熟瓷件；在HTCC熟瓷件的上表面局部印刷浆料，并将LTCC生瓷件装配在HTCC熟瓷件的浆料印刷区域，获得装配体；以低于第一温度的第二温度烧结装配体，获得HTCC和LTCC的共烧熟瓷件；对共烧熟瓷件镀装配层获得共烧陶瓷外壳并进行气密封装。本发明提供的共烧陶瓷外壳的制备方法，能够简化制备工艺，避免HTCC与LTCC结合后出现开缝，在满足高频传输的情况下结构强度高、散热性好的同时为后续成品的气密性封装工艺提供更多选择。
主权项：1.共烧陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制作HTCC生瓷件与LTCC生瓷件，所述LTCC生瓷件的尺寸包括用于补偿烧结收缩量的补偿量；以第一温度烧结所述HTCC生瓷件并冷却至室温，获得HTCC熟瓷件；在所述HTCC熟瓷件的上表面局部印刷浆料，并将所述LTCC生瓷件装配在所述HTCC熟瓷件的浆料印刷区域，获得装配体；以低于所述第一温度的第二温度烧结所述装配体，获得HTCC和LTCC的共烧熟瓷件；对所述共烧熟瓷件镀装配层并钎焊封口环，获得共烧陶瓷外壳，随后进行气密封装；其中，所述第一温度为1500℃~1700℃，所述第二温度为850~950℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 共烧陶瓷外壳的制备方法
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