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申请/专利权人：畅的新材料科技(上海)有限公司
摘要：本申请涉及低电阻率光电纳米粉体材料领域，具体公开了一种Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的制备方法。一种Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的制备方法，包括以下制备步骤：将铝盐、锌盐和水搅拌混合后，加入碱的水溶液搅拌混合，得到溶胶溶液；将溶胶溶液进行离心，得到沉淀物；将沉淀物、阳离子磁性微球和水混合后，调节pH值在2～5，搅拌混合，采用磁选法去除阳离子磁性微球后，过滤，洗涤，干燥，即得到干燥后的沉淀物；对干燥后的沉淀物进行粉碎，煅烧，即得到Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体。本申请中的阳离子磁性微球可有效去除沉淀物中的阴离子，使得煅烧的沉淀物不易烧结，提高了Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的尺寸稳定性。
主权项：1.一种Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：S1：将铝盐、锌盐和水搅拌混合后，得到反应前驱液；S2：将碱的水溶液逐滴滴加到反应前驱液中，搅拌混合后，得到溶胶溶液；S3：将溶胶溶液进行离心，得到沉淀物；S4：将沉淀物、阳离子磁性微球和水混合后，调节pH值在2～5，搅拌混合，然后采用磁选法去除阳离子磁性微球后，过滤，洗涤，干燥，即得到干燥后的沉淀物；S5：对干燥后的沉淀物进行粉碎，煅烧，即得到Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 畅的新材料科技(上海)有限公司 一种Al掺杂ZnO低电阻率纳米粉体的制备方法
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