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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、有源层和p型半导体，所述n型半导体与有源层之间设置有热态冷态比例调控层，所述热态冷态比例调控层具有峰值速率电场变化趋势和重空穴有效质量变化趋势。本发明能够提升热态下量子阱与p型半导体的界面带阶，增强量子阱的电子空穴的限域效应，减少热态下的电子溢流至p型半导体，同时，降低热态下量子阱与p型半导体界面的空穴势垒，提升空穴注入效率，改善热态下的空穴注入不足问题。
主权项：1.一种具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、有源层和p型半导体，其特征在于，所述n型半导体与有源层之间设置有热态冷态比例调控层，所述热态冷态比例调控层包括从下至上依次设置的第一子热态冷态比例调控层、第二子热态冷态比例调控层和第三子热态冷态比例调控层，所述第一子热态冷态比例调控层、第二子热态冷态比例调控层和第三子热态冷态比例调控层中均具有峰值速率电场变化趋势和重空穴有效质量变化趋势；所述第一子热态冷态比例调控层的峰值速率电场的峰值位置往n型半导体方向的下降角度为α，所述第一子热态冷态比例调控层的峰值速率电场的峰值位置往有源层方向的下降角度为β，所述第二子热态冷态比例调控层的峰值速率电场的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为γ，所述第三子热态冷态比例调控层的峰值速率电场的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为θ，其中：10°≤γ≤β≤α≤θ≤90°，角度为沿曲线的切线倾斜角；所述第一子热态冷态比例调控层的重空穴有效质量的峰值位置往n型半导体方向的下降角度为δ，所述第一子热态冷态比例调控层的重空穴有效质量的峰值位置往有源层方向的下降角度为σ，所述第二子热态冷态比例调控层的重空穴有效质量的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为φ，所述第三子热态冷态比例调控层的重空穴有效质量的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为ψ，其中：8°≤φ≤σ≤δ≤ψ≤90°。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件
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